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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoNSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NSBC114TDXV6T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSBC114TDXV6T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSBC114TDXV6T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
MUN5215DW1, NSBC114TDxx.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 275640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NSBC114TDXV6T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSBC114TDXV6T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSBC114TDXV6T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) -  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Potenza - Max 500mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base NSBC114  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSBC114TDXV6T1G

Proprietà del prodotto NSBC114TDXV6T1G NSBC114EPDXV6T5G NSBC114TDXV6T1 NSBC114YDXV6T1G
Modello di prodotti NSBC114TDXV6T1G NSBC114EPDXV6T5G NSBC114TDXV6T1 NSBC114YDXV6T1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Frequenza - transizione - - - -
Resistor - Emitter Base (R2) - 10kOhms - 47kOhms
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V - 50V
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA - 100mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V - 80 @ 5mA, 10V
Serie - - * -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA - 250mV @ 300µA, 10mA
Resistor - Base (R1) 10kOhms 10kOhms - 10kOhms
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA - 500nA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 500mW 500mW - 500mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-563 - SOT-563
Numero di prodotto di base NSBC114 NSBC114 NSBC114 NSBC114
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - SOT-563, SOT-666

NSBC114TDXV6T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSBC114TDXV6T1G PDF e la documentazione onsemi per NSBC114TDXV6T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Packaging PCN
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Schede tecniche
MUN5215DW1, NSBC114TDxx.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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