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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAON7412
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON7412 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON7412
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON7412
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
AON7412.pdf
In magazzino: 4010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON7412
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON7412, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON7412

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 466 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base AON741  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7412

Proprietà del prodotto AON7412 AON7418 AON7408 AON7422E
Modello di prodotti AON7412 AON7418 AON7408 AON7422E
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 20.8W (Tc) 6.2W (Ta), 83W (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 8.6 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base AON741 AON741 AON740 AON742
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 16A (Tc) 46A (Ta), 50A (Tc) 10A (Ta), 18A (Tc) 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V 1.7mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 10A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN-EP (3.3x3.3) 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN-EP (3x3)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 466 pF @ 15 V 2994 pF @ 15 V 448 pF @ 15 V 2940 pF @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.6V @ 250µA 2.4V @ 250µA

AON7412 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON7412 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON7412 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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AON7412.pdf

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