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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPI80N06S2L11AKSA2
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IPI80N06S2L11AKSA2 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPI80N06S2L11AKSA2
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
98D-IPI80N06S2L11AKSA2
Garanzia
1 anno di garanzia Allelco - Scopri di più
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Pacchetto
PG-TO262-3-1
Scheda dati
1.IPI80N06S2L11AK.pdf ...

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Schede tecniche

IPx80N06S2L-11.pdf
Stato RoHS
ROHS3 conforme
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In magazzino: 4139

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPI80N06S2L11AKSA2
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPI80N06S2L11AKSA2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPI80N06S2L11AKSA2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 93µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.7mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 158W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2075 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPI80N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS ROHS3 conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA2

Proprietà del prodotto IPI80N06S2L11AKSA1 IPI80N06S2L05AKSA2 IPI80N06S207AKSA2 IPI80N06S208AKSA2
Modello di prodotti IPI80N06S2L11AKSA1 IPI80N06S2L05AKSA2 IPI80N06S207AKSA2 IPI80N06S208AKSA2
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Numero di prodotto di base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
temperatura di esercizio - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Tipo montaggio - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia - - - -
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET - - - -
Contenitore / involucro - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Rds On (max) a Id, Vgs - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Dissipazione di potenza (max) - - - -
Pacchetto - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Vgs (Max) - - - -
Tensione drain-source (Vdss) - - - -
Contenitore dispositivo fornitore - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)

IPI80N06S2L11AKSA2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPI80N06S2L11AKSA2 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPI80N06S2L11AKSA2 - Infineon Technologies.

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Recensioni dei clienti

Valutazione: 10 Articoli

  • Daou***hekebkeb
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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