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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP086N10N3GXKSA1
IPP086N10N3GXKSA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP086N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP086N10N3GXKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP086N10N3GXKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP086N10N3GXKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP086N10N3GXKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP086N10N3GXKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP086N10N3GXKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 75µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP086  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1

Proprietà del prodotto IPP086N10N3GXKSA1 IPP082N10NF2SAKMA1 IPP086N10N3 IPP083N10N5AKSA1
Modello di prodotti IPP086N10N3GXKSA1 IPP082N10NF2SAKMA1 IPP086N10N3 IPP083N10N5AKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 15A (Ta), 77A (Tc) 80A (Tc) 73A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V 8.2mOhm @ 50A, 10V 8.6mOhm @ 73A, 10V 8.3mOhm @ 73A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 75µA 3.8V @ 46µA 3.5V @ 75µA 3.8V @ 49µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IPP086 IPP082N - IPP083
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 3.8W (Ta), 100W (Tc) 125W (Tc) 100W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 50 V 2000 pF @ 50 V 3980 pF @ 50 V 2730 pF @ 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie OptiMOS™ StrongIRFET™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3

IPP086N10N3GXKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP086N10N3GXKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP086N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies.

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