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America del Nord
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N3891
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

1N3891 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
1N3891
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-1N3891
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Pacchetto
DO-203AA, DO-4, Stud
Scheda dati
1N3889 thru 1N3893R.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N3891
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - 1N3891, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - 1N3891

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 12 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore DO-4  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 1N3891  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS A norma RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor 1N3891

Proprietà del prodotto 1N3891 1N3891 1N3890R 1N3891AR
Modello di prodotti 1N3891 1N3891 1N3890R 1N3891AR
fabbricante GeneSiC Semiconductor Microchip Technology GeneSiC Semiconductor Microchip Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 12 A 1.5 V @ 38 A 1.4 V @ 12 A 1.5 V @ 38 A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
Capacità a Vr, F - 115pF @ 10V, 1MHz - -
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Numero di prodotto di base 1N3891 - 1N3890R 1N3891
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns 200 ns 200 ns 150 ns
Serie - Military, MIL-PRF-19500/304 - Military, MIL-PRF-19500/304
Contenitore dispositivo fornitore DO-4 DO-203AA (DO-4) DO-4 DO-203AA (DO-4)
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 200 V 100 V 200 V
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Stud Mount Chassis, Stud Mount Stud Mount
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 12A 12A 20A
Tecnologia Standard Standard Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 25 µA @ 50 V 10 µA @ 200 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk

1N3891 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N3891 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per 1N3891 - GeneSiC Semiconductor.

Disegni 2D
1N3889 thru 1N3893R.pdf

Recensioni dei clienti

Valutazione: 17 Articoli

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America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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