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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR8060
GeneSiC Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR8060 - GeneSiC Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
MBR8060
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR8060
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
MBR8045 thru MBR80100.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 2115

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR8060
Specifiche tecniche GeneSiC Semiconductor - MBR8060, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GeneSiC Semiconductor - MBR8060

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GeneSiC Semiconductor  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 750 mV @ 80 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 60 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore DO-5  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 80A  
Capacità a Vr, F -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GeneSiC Semiconductor MBR8060

Proprietà del prodotto MBR8060 MBR8045 MBR8H100MFST1G MBR8035
Modello di prodotti MBR8060 MBR8045 MBR8H100MFST1G MBR8035
fabbricante GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor onsemi GeneSiC Semiconductor
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount Surface Mount Chassis, Stud Mount
Contenitore dispositivo fornitore DO-5 DO-5 5-DFN (5x6) (8-SOFL) DO-5
Serie - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
Corrente - raddrizzata media (Io) 80A 80A 8A 80A
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 750 mV @ 80 A 650 mV @ 80 A 900 mV @ 8 A 750 mV @ 80 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 60 V 45 V 100 V 35 V
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud 8-PowerTDFN, 5 Leads DO-203AB, DO-5, Stud
Capacità a Vr, F - - - -
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 mA @ 20 V 1 mA @ 45 V 2 µA @ 100 V 1 mA @ 35 V

MBR8060 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR8060 PDF e la documentazione GeneSiC Semiconductor per MBR8060 - GeneSiC Semiconductor.

Schede tecniche
MBR8045 thru MBR80100.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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