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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSCS212AMC
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCS212AMC - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCS212AMC
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCS212AMC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2 Full Pack
Scheda dati
SiC Power Devices Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8048

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCS212AMC
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCS212AMC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCS212AMC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 12 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 240 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F 438pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SCS212  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SCS212AMC

Proprietà del prodotto SCS212AMC SCS210KGC SCS215KGC SCS212AJTLL
Modello di prodotti SCS212AMC SCS210KGC SCS215KGC SCS212AJTLL
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Serie - - - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Capacità a Vr, F 438pF @ 1V, 1MHz 550pF @ 1V, 1MHz 790pF @ 1V, 1MHz -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 240 µA @ 600 V 200 µA @ 1200 V 300 µA @ 1200 V 240 µA @ 600 V
Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack TO-220-2 TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 12 A 1.6 V @ 10 A 1.6 V @ 15 A 1.55 V @ 12 A
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 1200 V 1200 V 650 V
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 10A 15A 12A
Numero di prodotto di base SCS212 SCS210 SCS215 SCS212
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM TO-220AC TO-220AC TO-263AB

SCS212AMC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCS212AMC PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SCS212AMC - Rohm Semiconductor.

Foglio dati HTML
SiC Power Devices Catalog.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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