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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo1N5819W
SMC Diode Solutions
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1N5819W - SMC Diode Solutions

fabbricante Modello di prodotti
1N5819W
fabbricante
Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
Allelco Modello di prodotti
32D-1N5819W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOD-123F
Scheda dati
1N5817W thru 1N5819W.pdf
In magazzino: 978900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1N5819W
Specifiche tecniche SMC Diode Solutions - 1N5819W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad SMC Diode Solutions - 1N5819W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 500 mV @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 40 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore SOD-123FL  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro SOD-123F  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 40 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A  
Capacità a Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base 1N5819  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di SMC Diode Solutions 1N5819W

Proprietà del prodotto 1N5819W 1N5819UR-1 1N5819WL 1N5819W B5819W
Modello di prodotti 1N5819W 1N5819UR-1 1N5819WL 1N5819W B5819W
fabbricante SMC Diode Solutions Microchip Technology LISION CJ
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk - -
Numero di prodotto di base 1N5819 1N5819 - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A 1A - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 40 V 45 V - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 500 mV @ 1 A 490 mV @ 1 A - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 40 V 50 µA @ 45 V - -
Contenitore dispositivo fornitore SOD-123FL DO-213AB (MELF, LL41) - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C - -
Tecnologia Schottky Schottky - -
Capacità a Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz 70pF @ 5V, 1MHz - -
Contenitore / involucro SOD-123F DO-213AB, MELF (Glass) - -
Serie - - - -

1N5819W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1N5819W PDF e la documentazione SMC Diode Solutions per 1N5819W - SMC Diode Solutions.

Schede tecniche
1N5817W thru 1N5819W.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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