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Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singolo~~2SD2257(Q,M)~~

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~~Collezione~~

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2SD2257(Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Name: Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SD2257(Q,M)
Availability: InStock
Rating: 5 (6 reviews)

fabbricante Modello di prodotti: 2SD2257(Q,M)

fabbricante: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)

Allelco Modello di prodotti: 98D-2SD2257(Q,M)

Garanzia: 1 anno di garanzia Allelco - Scopri di più

Stato delle scorte:: 4,388 pezzi disponibili, nuovi e originali

Descrizione delle parti: TRANS NPN 100V 3A TO220NIS

Pacchetto: TO-220NIS

Scheda dati: 2SD2257(Q,M).pdf

Schede tecniche
2SD2257.pdf

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device EOL 30/Nov/2016.pdf

Stato RoHS

~~Confronto~~

La nostra certificazione

In magazzino: 4388

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SD2257(Q,M)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - 2SD2257(Q,M), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - 2SD2257(Q,M)

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
fabbricante	TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Tipo transistor	NPN
Contenitore dispositivo fornitore	TO-220NIS
Serie	-
Potenza - Max	2 W
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
Pacchetto	Bulk
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Frequenza - transizione	-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	2000 @ 2A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	3 A
Numero di prodotto di base	2SD2257

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO	DESCRIZIONE
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
ECCN	EAR99

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Q,M)

Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	2SD2257(CANO,Q,M)	2SD2257(CANO,A,Q)	2SD2257,NIKKIQ(J	2SD2257,Q(J
fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Contenitore dispositivo fornitore	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
temperatura di esercizio	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Tipo montaggio	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Potenza - Max	-	-	-	-
Tipo transistor	-	-	-	-
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	-	-	-	-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	-	-	-	-
Pacchetto	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	-	-	-	-
Serie	-	-	-	-
Contenitore / involucro	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Corrente - collettore (Ic) (max)	-	-	-	-
Corrente - Cutoff collettore (max)	-	-	-	-
Numero di prodotto di base	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
Frequenza - transizione	-	-	-	-

2SD2257(Q,M) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SD2257(Q,M) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per 2SD2257(Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche: 2SD2257.pdf
PCN Obsolescence/ EOL: Mult Device EOL 30/Nov/2016.pdf

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08/09/2026

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20/08/2026

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America	Brasile	7
Europa	Germania	5
	Regno Unito	4
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Oceania	Nuova Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Giappone	4
Medio Oriente	Israele	6

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1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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