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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singolo181NQ045
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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181NQ045 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
181NQ045
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-181NQ045
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 45V 180A D-67
Descrizione dettagliata
Pacchetto
D-67 HALF-PAK
Scheda dati
181NQ Series.pdf
Stato RoHS
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In magazzino: 4410

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 181NQ045
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 181NQ045, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 181NQ045

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 660 mV @ 180 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 45 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore D-67 HALF-PAK  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro D-67 HALF-PAK  
Pacchetto Bulk  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 15 mA @ 45 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 180A  
Capacità a Vr, F 7800pF @ 5V, 1MHz  
Numero di prodotto di base 181NQ045  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division 181NQ045

Proprietà del prodotto 181NQ045 181NQ035 181NQ040 181M-52LFT
Modello di prodotti 181NQ045 181NQ035 181NQ040 181M-52LFT
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Renesas Electronics America Inc
Corrente - raddrizzata media (Io) 180A 180A 180A -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 15 mA @ 45 V 15 mA @ 35 V 15 mA @ 40 V -
Tensione - inversa (Vr) (max) 45 V 35 V 40 V -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Surface Mount
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Serie - - - -
Capacità a Vr, F 7800pF @ 5V, 1MHz 7800pF @ 5V, 1MHz 7800pF @ 5V, 1MHz -
Contenitore dispositivo fornitore D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK 8-SOIC
Contenitore / involucro D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tecnologia Schottky Schottky Schottky -
Numero di prodotto di base 181NQ045 181NQ035 181NQ040 181M
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 660 mV @ 180 A 660 mV @ 180 A 660 mV @ 180 A -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

181NQ045 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 181NQ045 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per 181NQ045 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
181NQ Series.pdf

Recensioni dei clienti

Valutazione: 272 Articles

  • AUS****T

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    Product model: EING8888# Quantity: 100 February 5, 2022

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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