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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR1035
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MBR1035 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
MBR1035
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR1035
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
MBR(B)1035/45.pdf
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In magazzino: 4380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR1035
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1035, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1035

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 570 mV @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 35 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 35 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base MBR103  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1035

Proprietà del prodotto MBR1035 MBR1040 MBR1020LL_R1_00001 MBR1035G
Modello di prodotti MBR1035 MBR1040 MBR1020LL_R1_00001 MBR1035G
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Panjit International Inc. onsemi
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 570 mV @ 10 A 840 mV @ 10 A 450 mV @ 1 A 840 mV @ 20 A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - SWITCHMODE™
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 35 V 100 µA @ 40 V 25 mA @ 20 V 100 µA @ 35 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC TO-220AC SOD-123FL TO-220-2
Capacità a Vr, F - 400pF @ 4V, 1MHz - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 125°C -65°C ~ 175°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 35 V 40 V 20 V 35 V
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 10A 1A 10A
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 SOD-123F TO-220-2
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Numero di prodotto di base MBR103 MBR104 MBR1020 MBR103

MBR1035 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR1035 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per MBR1035 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
MBR(B)1035/45.pdf

Recensioni dei clienti

Valutazione: 272 Articles

  • AUS****T

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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