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SS12P2LHM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
SS12P2LHM3/86A
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-SS12P2LHM3/86A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-277, 3-PowerDFN
Scheda dati
SS12P2L & SS12P3L.pdf
Stato RoHS
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In magazzino: 3990

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SS12P2LHM3/86A
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12P2LHM3/86A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12P2LHM3/86A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 560 mV @ 12 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 20 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie eSMP®  
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 30 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A  
Capacità a Vr, F 930pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SS12P2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P2LHM3/86A

Proprietà del prodotto SS12P2LHM3/86A SS12HE3/61T SS12L R3G SS12P4S-M3/86A
Modello di prodotti SS12P2LHM3/86A SS12HE3/61T SS12L R3G SS12P4S-M3/86A
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division TSC (Taiwan Semiconductor) Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A 1A 1A 12A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie eSMP® - - eSMP®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 560 mV @ 12 A 500 mV @ 1 A 450mV @ 1A 600 mV @ 12 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C -65°C ~ 125°C -55°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C
Contenitore dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) DO-214AC (SMA) Sub SMA TO-277A (SMPC)
Tensione - inversa (Vr) (max) 20 V 20 V 20V 30 V
Capacità a Vr, F 930pF @ 4V, 1MHz - - 750pF @ 4V, 1MHz
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tecnologia Schottky Schottky - Schottky
Numero di prodotto di base SS12P2 SS12 - SS12P4
Contenitore / involucro TO-277, 3-PowerDFN DO-214AC, SMA DO-219AB TO-277, 3-PowerDFN
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 mA @ 30 V 200 µA @ 20 V 400µA @ 20V 800 µA @ 40 V

SS12P2LHM3/86A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SS12P2LHM3/86A PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per SS12P2LHM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

PCN Altro
DD-005-2015-Rev-0 26/Jan2015.pdf
Schede tecniche
SS12P2L & SS12P3L.pdf

Recensioni dei clienti

Valutazione: 272 Articles

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SS12P2LHM3/86A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS12P2LHM3/86A

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