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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQS401EN-T1_BE3
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OPZIONE ESPRIT
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SQS401EN-T1_BE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQS401EN-T1_BE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQS401EN-T1_BE3
Garanzia
1 anno di garanzia Allelco - Scopri di più
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Pacchetto
PowerPAK® 1212-8
Scheda dati
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Schede tecniche

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SQS401EN-T1_BE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQS401EN-T1_BE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQS401EN-T1_BE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1875 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQS401  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQS401EN-T1_BE3

Proprietà del prodotto SQS401EN-T1_GE3 SQS401ENW-T1_GE3 SQS405ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3
Modello di prodotti SQS401EN-T1_GE3 SQS401ENW-T1_GE3 SQS405ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo montaggio - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) - - - -
Pacchetto - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia - - - -
Serie - - - -
Tipo FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
temperatura di esercizio - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Vgs (Max) - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Numero di prodotto di base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Dissipazione di potenza (max) - - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Contenitore dispositivo fornitore - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Contenitore / involucro - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad

SQS401EN-T1_BE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQS401EN-T1_BE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQS401EN-T1_BE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
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Recensioni dei clienti

Valutazione: 10 Articoli

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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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