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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUM110N06-3M9H-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUM110N06-3M9H-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUM110N06-3M9H-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUM110N06-3M9H-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SUM110N06-3M9H.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SUM110N06-3M9H-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUM110N06-3M9H-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUM110N06-3M9H-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUM110  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUM110N06-3M9H-E3

Proprietà del prodotto SUM110N06-3M9H-E3 SUM110N05-06L-E3 SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N10-09-E3
Modello di prodotti SUM110N06-3M9H-E3 SUM110N05-06L-E3 SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N10-09-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 3.9mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 9.5mOhm @ 30A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15800 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 12900 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base SUM110 SUM110 SUM110 SUM110
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) - 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SUM110N06-3M9H-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUM110N06-3M9H-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUM110N06-3M9H-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Add 9/Jun/2016.pdf
Schede tecniche
SUM110N06-3M9H.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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