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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS7681
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDMS7681 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS7681
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS7681
Modello ECAD
Descrizione delle parti
PT7 30/20V NCH ER TREN MO
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS7681.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3850

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS7681
Specifiche tecniche onsemi - FDMS7681, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS7681

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (4.9x5.8)  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.9mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 33W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 28A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS7681

Proprietà del prodotto FDMS7681 FDMS7672AS FDMS7682 FDMS7680
Modello di prodotti FDMS7681 FDMS7672AS FDMS7682 FDMS7680
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 28A (Tc) 19A (Ta), 42A (Tc) 16A (Ta), 22A (Tc) 14A (Ta), 28A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 15 V 2820 pF @ 15 V 1885 pF @ 15 V 1850 pF @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.9mOhm @ 14A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V 6.3mOhm @ 14A, 10V 6.9mOhm @ 14A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (4.9x5.8) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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