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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDN359BN
FDN359BN Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDN359BN - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDN359BN
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDN359BN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FDN359BN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 175700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDN359BN
Specifiche tecniche onsemi - FDN359BN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDN359BN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDN359  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDN359BN

Proprietà del prodotto FDN359BN FDN359AN FDN358P FDN360P
Modello di prodotti FDN359BN FDN359AN FDN358P FDN360P
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base FDN359 FDN359 FDN358 FDN360
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 480 pF @ 10 V 182 pF @ 15 V 298 pF @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V 46mOhm @ 2.7A, 10V 125mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) 2.7A (Ta) 1.5A (Ta) 2A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V 7 nC @ 5 V 5.6 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

FDN359BN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDN359BN PDF e la documentazione onsemi per FDN359BN - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Cambia dello stato della parte PCN
Status Chg 22/Feb/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
FDN359BN.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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