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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSC024NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC024NE2LSATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC024NE2LSATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC024NE2LSATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSC024NE2LSATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC024NE2LSATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC024NE2LSATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC024NE2LSATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 110A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSC024  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC024NE2LSATMA1

Proprietà del prodotto BSC024NE2LSATMA1 BSC026N02KSG BSC022N03S BSC022N04LSATMA1
Modello di prodotti BSC024NE2LSATMA1 BSC026N02KSG BSC022N03S BSC022N04LSATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V 2.6mOhm @ 50A, 4.5V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 20 V 30 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-6
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 52.7 nC @ 4.5 V 58 nC @ 5 V 37 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 12 V 7800 pF @ 10 V 7490 pF @ 15 V 2600 pF @ 20 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™2 OptiMOS™ OptiMOS™
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base BSC024 - - BSC022
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 1.2V @ 200µA 2V @ 100µA 2V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 110A (Tc) 25A (Ta), 134A (Tc) 28A (Ta), 100A (Tc) 100A (Tc)

BSC024NE2LSATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC024NE2LSATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC024NE2LSATMA1 - Infineon Technologies.

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