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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IPD80R2K7C3AATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD80R2K7C3AATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD80R2K7C3AATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH TO252-3
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD80R2K7C3AATMA1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 45310

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD80R2K7C3AATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD80R2K7C3AATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD80R2K7C3AATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD80R2  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1

Proprietà del prodotto IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R360P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 IPD80R2K8CEBTMA1
Modello di prodotti IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R360P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 IPD80R2K8CEBTMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 100 V 930 pF @ 500 V 1200 pF @ 500 V 290 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 13A (Tc) 17A (Tc) 1.9A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
Numero di prodotto di base IPD80R2 IPD80R IPD80R IPD80R
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 84W (Tc) 101W (Tc) 42W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA 3.5V @ 280µA 3.5V @ 360µA 3.9V @ 120µA

IPD80R2K7C3AATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD80R2K7C3AATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD80R2K7C3AATMA1 - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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