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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL3303SPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL3303SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL3303SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL3303SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL3303(L,S)PbF.pdf
In magazzino: 5210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL3303SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL3303SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL3303SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL3303SPBF

Proprietà del prodotto IRL3303SPBF IRL3303STRLPBF IRL3502 IRL3303LPBF
Modello di prodotti IRL3303SPBF IRL3303STRLPBF IRL3502 IRL3303LPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±16V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 7V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 110 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-220AB TO-262
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 64A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 4700 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 140W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 38A (Tc) 110A (Tc) 38A (Tc)

IRL3303SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL3303SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL3303SPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IRL3303(L,S)PbF.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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