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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFD8P06LE
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

RFD8P06LE - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RFD8P06LE
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-RFD8P06LE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
RFD8P06LE.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 120950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFD8P06LE
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - RFD8P06LE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - RFD8P06LE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor RFD8P06LE

Proprietà del prodotto RFD8P06LE RFD8P05SM9A RFD8P06ESM RFD8P06LE
Modello di prodotti RFD8P06LE RFD8P05SM9A RFD8P06ESM RFD8P06LE
fabbricante Fairchild Semiconductor Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 5V - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) - 8A -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - 60 V -
Vgs (Max) ±10V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo FET P-Channel - P-Channel -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK - TO-252-3 (DPAK) -
Tipo montaggio Through Hole - Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V - - -
Serie - - - *
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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