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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD87588NT
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

CSD87588NT - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD87588NT
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD87588NT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Pacchetto
5-LGA
Scheda dati
CSD87588N Datasheet.pdf
Stato RoHS
ROHS3 conforme
La nostra certificazione
In magazzino: 27292

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD87588NT
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD87588NT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD87588NT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 5-PTAB (5x3.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 6W  
Contenitore / involucro 5-LGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 736pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base CSD87588  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS ROHS3 conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD87588NT

Proprietà del prodotto CSD87588NT CSD88539NDT CSD87501LT CSD87588N
Modello di prodotti CSD87588NT CSD88539NDT CSD87501LT CSD87588N
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 6W 2.1W 2.5W 6W
Numero di prodotto di base CSD87588 CSD88539 CSD87501 CSD87588
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Half Bridge)
Contenitore dispositivo fornitore 5-PTAB (5x3.5) 8-SOIC 10-Picostar (3.37x1.47) 5-PTAB (3x2.5)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 5-LGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 10-XFLGA 5-XFLGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A 15A - 25A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 736pF @ 15V 741pF @ 30V - 736pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V 40nC @ 10V 4.1nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V - 9.6mOhm @ 15A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V - 30V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

CSD87588NT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD87588NT PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD87588NT - Texas Instruments.

Packaging PCN
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf
Foglio dati HTML
CSD87588N Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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