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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSTPSC10H065D
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STPSC10H065D - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STPSC10H065D
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STPSC10H065D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
STPSC10H065.pdf
Stato RoHS
ROHS3 conforme
La nostra certificazione
In magazzino: 17742

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STPSC10H065D
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STPSC10H065D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STPSC10H065D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F 480pF @ 0V, 1MHz  
Numero di prodotto di base STPSC10  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS ROHS3 conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STPSC10H065D

Proprietà del prodotto STPSC10H065D STPSC10H065G-TR STPS8L30DEE-TR STPSC10H065GY-TR
Modello di prodotti STPSC10H065D STPSC10H065G-TR STPS8L30DEE-TR STPSC10H065GY-TR
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 10 A 500 mV @ 8 A 1.75 V @ 10 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C 150°C (Max) -40°C ~ 175°C
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerTDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità a Vr, F 480pF @ 0V, 1MHz 480pF @ 0V, 1MHz - 480pF @ 0V, 1MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC D²PAK PowerFlat™ (3.3x3.3) D²PAK
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 650 V 100 µA @ 650 V 1 mA @ 30 V 100 µA @ 650 V
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns - 0 ns
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 650 V 30 V 650 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base STPSC10 STPSC10 STPS8 STPSC10
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 10A 8A 10A

STPSC10H065D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STPSC10H065D PDF e la documentazione STMicroelectronics per STPSC10H065D - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STPSC10H065.pdf
PCN Design/Specifica
IPD/15/9230 11/May/2015.pdf Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Manufacturing Extension 03/Jun/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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