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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloBYT52K-TAP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BYT52K-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
BYT52K-TAP
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-BYT52K-TAP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE AVALANCHE 800V 1.4A SOD57
Pacchetto
SOD-57, Axial
Scheda dati
BYT52x.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 165310

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BYT52K-TAP
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYT52K-TAP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYT52K-TAP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 1 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 800 V  
Tecnologia Avalanche  
Contenitore dispositivo fornitore SOD-57  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOD-57, Axial  
Pacchetto Tape & Box (TB)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.4A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base BYT52  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT52K-TAP

Proprietà del prodotto BYT52K-TAP BYT52M-TR BYT30P-400 BYT52A-TAP
Modello di prodotti BYT52K-TAP BYT52M-TR BYT30P-400 BYT52A-TAP
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division STMicroelectronics Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numero di prodotto di base BYT52 BYT52 BYT30 BYT52
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 800 V 5 µA @ 1000 V 35 µA @ 400 V 5 µA @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore SOD-57 SOD-57 SOD-93-2 SOD-57
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 1 A 1.3 V @ 1 A 1.5 V @ 30 A 1.3 V @ 1 A
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -40°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - raddrizzata media (Io) 1.4A 1.4A 30A 1.4A
Tecnologia Avalanche Avalanche Standard Avalanche
Tensione - inversa (Vr) (max) 800 V 1000 V 400 V 50 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Pacchetto Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Box (TB)
Capacità a Vr, F - - - -
Contenitore / involucro SOD-57, Axial SOD-57, Axial SOD-93-2 SOD-57, Axial
Tempo di ripristino inverso (trr) 200 ns 200 ns 100 ns 200 ns
Serie - - - -

BYT52K-TAP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BYT52K-TAP PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per BYT52K-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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