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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori ponteGSIB2580-E3/45
GSIB2580-E3/45 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GSIB2580-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
GSIB2580-E3/45
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-GSIB2580-E3/45
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5S
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-SIP, GSIB-5S
Scheda dati
GSIB2520 thru GSIB2580.pdf
GSIB2520 thru GSIB2580.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17125

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GSIB2580-E3/45
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GSIB2580-E3/45, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GSIB2580-E3/45

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - Picco inversa (max) 800 V  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 12.5 A  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore GSIB-5S  
Serie -  
Contenitore / involucro 4-SIP, GSIB-5S  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo diodo Single Phase  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 800 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.5 A  
Numero di prodotto di base GSIB2580  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2580-E3/45

Proprietà del prodotto GSIB2580-E3/45 GSIB2520-E3/45 GSIB1580-E3/45 GSIB2560-E3/45
Modello di prodotti GSIB2580-E3/45 GSIB2520-E3/45 GSIB1580-E3/45 GSIB2560-E3/45
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tipo diodo Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Contenitore / involucro 4-SIP, GSIB-5S 4-SIP, GSIB-5S 4-SIP, GSIB-5S 4-SIP, GSIB-5S
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1 V @ 12.5 A 1 V @ 12.5 A 950 mV @ 7.5 A 1 V @ 12.5 A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 800 V 10 µA @ 200 V 10 µA @ 800 V 10 µA @ 600 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Tensione - Picco inversa (max) 800 V 200 V 800 V 600 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore GSIB-5S GSIB-5S GSIB-5S GSIB-5S
Numero di prodotto di base GSIB2580 GSIB2520 GSIB1580 GSIB2560
Corrente - raddrizzata media (Io) 3.5 A 3.5 A 15 A 3.5 A

GSIB2580-E3/45 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GSIB2580-E3/45 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per GSIB2580-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

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Schede tecniche
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Foglio dati HTML
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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