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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF530STRRPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF530STRRPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRF530STRRPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF530STRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF530S, SiHF530S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31841

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF530STRRPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRF530STRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRF530STRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRF530STRRPBF

Proprietà del prodotto IRF530STRRPBF IRF530NSTRRPBF IRF530S IRF540
Modello di prodotti IRF530STRRPBF IRF530NSTRRPBF IRF530S IRF540
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 77mOhm @ 17A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 17A (Tc) 14A (Tc) 28A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 150W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - HEXFET® - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IRF530 - IRF530 IRF540

IRF530STRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF530STRRPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRF530STRRPBF - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRF530S, SiHF530S.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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