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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI5504BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI5504BDC-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI5504BDC-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI5504BDC-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
Si5504BDC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI5504BDC-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI5504BDC-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI5504BDC-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V  
Potenza - Max 3.12W, 3.1W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3.7A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SI5504  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI5504BDC-T1-E3

Proprietà del prodotto SI5504BDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 SI5511DC-T1-E3
Modello di prodotti SI5504BDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 SI5513DC-T1-E3 SI5511DC-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Potenza - Max 3.12W, 3.1W 3.1W 1.1W 3.1W, 2.6W
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 11.3nC @ 5V 6nC @ 4.5V 7.1nC @ 5V
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V 632pF @ 10V - 435pF @ 15V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3.7A 4A (Tc) 3.1A, 2.1A 4A, 3.6A
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V 36mOhm @ 6A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 800mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base SI5504 SI5515 SI5513 SI5511

SI5504BDC-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI5504BDC-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI5504BDC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
Si5504BDC.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
SI5504BDC-T1-E3,GE3 29/Apr/2016.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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