- Bran***Lewis
- 11/05/2026
Assemblaggio/origine PCN
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| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo sub-totale |
|---|---|---|
| 1+ | $0.504 | $0.50 |
| 10+ | $0.491 | $4.91 |
| 30+ | $0.481 | $14.43 |
| 100+ | $0.473 | $47.30 |
Specifiche tecnologiche SIR164DP-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIR164DP-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIR164DP-T1-GE3
| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi |
|---|---|
| fabbricante | Vishay / Siliconix |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Proprietà del prodotto | Valori degli attributi |
|---|---|
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950 pF @ 15 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | SIR164 |
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
|---|---|
| Stato RoHS | ROHS3 conforme |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIR164DP-T1-GE3
| Proprietà del prodotto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Modello di prodotti | SIR164ADP-T1-GE3 | SIR165DP-T1-GE3 | SIR167DP-T1-GE3 | SIR164DP-T1-RE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Numero di prodotto di base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| temperatura di esercizio | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Pacchetto | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (th) (max) a Id | - | - | - | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - | - | - | - |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | - | - | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tipo montaggio | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Caratteristica FET | - | - | - | - |
| Contenitore / involucro | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
Scarica la scheda tecnica SIR164DP-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIR164DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SiR166DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIR164DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIR166DP-T1-GE3381Electro-Films (EFI) / Vishay
SiR158DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SiR166DPElectro-Films (EFI) / Vishay
SIR166DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SIR158DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SIR164DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SiR158DPElectro-Films (EFI) / Vishay
SIR158DP-T1-GE3-T1-GE3VISHY
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico | ||
|---|---|---|
| Regione | Paese | Tempo logistico (giorno) |
| America | stati Uniti | 5 |
| Brasile | 7 | |
| Europa | Germania | 5 |
| Regno Unito | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceania | Australia | 6 |
| Nuova Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Giappone | 4 | |
| Medio Oriente | Israele | 6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento | |
|---|---|
| Accuse di spedizione (kg) | Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













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