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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD50R500CEAUMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD50R500CEAUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50R500CEAUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50R500CEAUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD50R500CEAUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50R500CEAUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50R500CEAUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50R500CEAUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD50R500  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50R500CEAUMA1

Proprietà del prodotto IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CP IPD50R950CEAUMA1 IPD50R520CPATMA1
Modello di prodotti IPD50R500CEAUMA1 IPD50R520CP IPD50R950CEAUMA1 IPD50R520CPATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 10V 13V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Tc) 7.1A (Tc) 4.3A (Tc) 7.1A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-313
Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) 66W (Tc) 53W (Tc) 66W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 100µA 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V 231 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V 950mOhm @ 1.2A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IPD50R500 IPD50R IPD50R950 IPD50R520
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50R500CEAUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD50R500CEAUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD50R500CEAUMA1 - Infineon Technologies.

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