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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IPD50R520CP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50R520CP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50R520CP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD50R520CP.pdf
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50R520CP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50R520CP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50R520CP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™ CP  
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD50R  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50R520CP

Proprietà del prodotto IPD50R520CP IPD50R399CPATMA1 IPD50R800CE IPD50R399CP
Modello di prodotti IPD50R520CP IPD50R399CPATMA1 IPD50R800CE IPD50R399CP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc) 83W (Tc) 60W (Tc) 83W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-11
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 800mOhm @ 1.5A, 13V 399mOhm @ 4.9A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Serie CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 13V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 280 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V
Numero di prodotto di base IPD50R IPD50R IPD50 IPD50R
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.1A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 9A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 130µA 3.5V @ 330µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IPD50R520CP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD50R520CP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD50R520CP - Infineon Technologies.

Schede tecniche
IPD50R520CP.pdf
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Packaging PCN
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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